突触后电位及其产生机制
突触后电位及其产生机制
突触后电位及其产生机制
1.兴奋性突触后电位（EPSP）：是指突触后膜在某种神经递质作用下产生的局部去极化电位变化。其产生机制是兴奋性递质作用于突触后膜的相应受体，使递质门控通道（化学门控通道）开放，后膜主要对Na+的通透性增大，发生净内向电流，从而引起后膜的局部去极化。
2.抑制性突触后电位（IPSP）：是指突触后膜在某种神经递质作用下产生的局部超极化电位变化。其产生机制是抑制性递质作用于突触后膜，使后膜上的递质门控氯通道开放，引起外向电流，结果引起后膜的局部超极化。此外，IPSP的形成还可能与突触后膜钾通道的开放或钠通道和钙通道的关闭有关。
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